플라즈마 공정을 적용하여 비정질 반도체 박막으로부터 균일한 결정성을 갖는 반도체 양자점을 생성하고 그 크기를 제어할 수 있는 반도체 양자점의 생성과 크기 제어 방법 및 시스템
빌드업 방식으로 초박형 웨이퍼를 적층하여 3차원 패키지 수율 향상
멀티 비트 저항 스위칭 동작에서 셋 동작뿐 아니라 리셋 동작에서도 점진적인 저항 상태 변화가 가능하여 멀티 비트 동작 시, 저항 상태 중첩 확률을 감소시키고 다양한 멀티 비트 동작을 할 수 있는 소거 동작을 제거한 저항 스위칭 메모리 제조 기술
상부 전극측과 하부 전극층이 수직으로 교차하게 형성되고, 고 저항 상태 수반 없이 복수개의 저 저항 상태 사이에서 저항이 전환되어 ReRAM 동작 중 소거 동작이 제거되는 에너지 고 효율이 가능한 ReRAM 제조 방법
저항 스위칭 장치 구조에서 하부 전극과 상부 전극 사이에 절연막이 삽입되어 전류의 점진적인 변화가 목표 전류 범위를 초과하는 비정상적인 경우의 발생 빈도수를 감소시키는 저항 스위칭 장치
유해 화학물질을 사용하지 않은 고순도/고결정성의 그래핀 양자점 패터닝 기술 - 이온빔이 조사되는 위치에만 순수 그래핀 양자점을 제조할 수 있는 기술로, 고순도/고결정성 그래핀 양자점을 제조 및 마이크로 미터 이하의 초정밀 미세 패터닝 할 수 있는 기술
