플라즈마 공정을 적용하여 비정질 반도체 박막으로부터 균일한 결정성을 갖는 반도체 양자점을 생성하고 그 크기를 제어할 수 있는 반도체 양자점의 생성과 크기 제어 방법 및 시스템

빌드업 방식으로 초박형 웨이퍼를 적층하여 3차원 패키지 수율 향상

멀티 비트 저항 스위칭 동작에서 셋 동작뿐 아니라 리셋 동작에서도 점진적인 저항 상태 변화가 가능하여 멀티 비트 동작 시, 저항 상태 중첩 확률을 감소시키고 다양한 멀티 비트 동작을 할 수 있는 소거 동작을 제거한 저항 스위칭 메모리 제조 기술

상부 전극측과 하부 전극층이 수직으로 교차하게 형성되고, 고 저항 상태 수반 없이 복수개의 저 저항 상태 사이에서 저항이 전환되어 ReRAM 동작 중 소거 동작이 제거되는 에너지 고 효율이 가능한 ReRAM 제조 방법