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핵심소재 전해질
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전고체전지용 갈륨이 도핑된 고이온전도성 고체전해질
한국생산기술연구원 김호성
연구내용
  • 본 발명은 (a) 란타늄 전구체, 지르코늄 전구체, 갈륨 전구체, 착화제, 및 pH 조절제를포함하는 혼합 용액을 공침반응시켜 고체전해질 전구체를 제조하는 단계; (b) 상기 고체전해질 전구체를 세척하고 건조하는 단계; (c) 상기 세척하고 건조된 고체전해질 전구체를 리튬 소스와 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및 (d) 상기 혼합물을 하소(calcination)하여 갈륨(Ga)이 도핑된 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(lithium lanthanum zirconium oxide, LLZO)인 화학식 1로 표시되는 하소된 고체전해질을 제조하는 단계;를 포함하는 고체전해질의 제조방법에 관한 것이다
  • 이와 같은 고체전해질의 제조방법을 적용하여, 이온전도도 및 전위창이 향상된 고체전해질을 제공할 수 있다.
특허번호

10-2016-0154092