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핵심소재 전해질
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난연성 겔 고분자 전해질 형성용 조성물
한국화학연구원 정서현
연구내용
  • 본 발명은 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 제1 중합체; 및 화학식 2로 표시되는 반복단위 및 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 제2 중합체;(발명의 설명 참조)를 포함하는 겔 고분자 전해질 형성용 조성물, 그 제조 방법 및 겔 고분자 전해질 형성용 조성물을 가교시켜 제조된 겔 고분자 전해질에 관한 것이다.
특허번호

10-2022-0131544