12대 국가전략기술
연구내용
- PL(Photoluminescence Spectroscopy) 분석법을 이용하여 SiC 에피층에 존재하는 TSD(Threading Screw Dislocation) 및 TED(Threading Edge Dislocation) 결정 결함을 비파괴 방식으로 측정하여 에피층 성장 정도를 사전에 파악하고 제어하여 수율 향상에 기여할 수 있는 기술
- PL 장치의 레이저 스케닝 스텝 간격 조절을 통해 출력된 TSD 및 TED 결함 이미지의 해상도 조절로 선명한 해상도의 데이터를 얻을 수 있는 비파괴 분석 장치에 대한 기술