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반도체 디스플레이 전력반도체
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화학기상증착법을 이용한 고품질 저비용 에피탁시 실리콘 기판 제조 기술
한국에너지기술연구원 오준호
연구내용
  • 기존 실리콘 웨이퍼 제작 공정은 고온 Cz성장한 실리콘 잉곳을 절단 가공하여 생산하며, 고온공정비용 및 원재료 절단손실 등의 원가상승 요인을 제거하기 어려움. 이와 달리, 본 기술에서는 태양광 및 광 다이오드 등 반도체산업에 사용되는 다양한 스펙의 실리콘기판을 가스반응을 통하여 gas-to-wafer 저비용으로 제조하는 혁신적인 기술
특허번호

10-1946570

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