12대 국가전략기술
연구내용
- 상부 전극측과 하부 전극층이 수직으로 교차하게 형성되고, 고 저항 상태 수반 없이 복수개의 저 저항 상태 사이에서 저항이 전환되어 ReRAM 동작 중 소거 동작이 제거되는 에너지 고 효율이 가능한 ReRAM 제조 방법
특허번호
10-2019-0017882