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공동 TLO 마케팅사무국

사업화 유망 기술

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후열처리를 이용한 광소자 제조 방법
한국화학연구원 전남중
연구내용
  • 본 발명은 페로브스카이트층에 후열처리(post annealing) 방법을 이용함으로써 광전변환효율이 향상된 광소자 제조 방법
특허번호