사업화 유망 기술
연구내용
- 열산화 공정을 통해 안정적인 게이트 바닥부를 형성하여 게이트 전극과 드레인 전극 사이의 높은 전위차로 인한 전계 집중 현상이 완화된 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 제조 기술 SOP(Standard Operating Procedures) 처리를 통해 SiC 표면의 계면층을 효과적으로 제거하여 역방향 설전류의 특성이 개선된 양질의 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스 제조를 위한 공정 기술