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반도체 소자의 금속배선 및 그 제조방법
| 대표분류 | 전기소자 | 구분 | 소액무상특허 |
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| 기술테마 | 전기소자 | ||
| 연구기관 | 한국과학기술연구원 | 연구자 | 김영환 |
| 기술내용 | 이전대상 특허번호: 10-1307780(한국) 이전유형: 양도 이전비용 : 3백~5백만원 비고: 부가세 별도, 추납기간 비용등 감안하여 금액 변동 반도체 소자의 금속배선 제조방법은 기판 상에 형성된 층간 절연막을 패터닝하여 배선창을 형성하는 단계, 기판이 배치되는 증착장치에 질소를 포함하는 가스를 주입하여 층간 절연막의 표면을 질화처리하는 단계, 증착장치에 질소를 포함하는 가스 및 금속가스를 함께 주입하여 확산 방지막을 형성하는 단계, 배선창을 금속으로 채우는 단계, 및 화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정으로 배선창 이외에 형성된 금속을 제거하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 층간 절연막의 기계적 강도를 증가시켜 화학기계적연마 공정에서 발생하는 스크래치 또는 결함을 방지할 수 있다. |
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