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나노선 다중채널 ＦＥＴ 소자의 제조방법
| 대표분류 | 나노기술 | 구분 | 소액무상특허 |
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| 기술테마 | 나노기술 | ||
| 연구기관 | 한국과학기술연구원 | 연구자 | 변영태 |
| 기술내용 | 이전대상 특허번호: 10-1050142(한국) 이전유형: 양도 이전비용 : 3백~5백만원 비고: 부가세 별도, 추납기간 비용등 감안하여 금액 변동 본 발명은 나노선 다중채널 FET 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 기존 나노물질 FET 소자들의 한계를 극복하여 높은 전류 전송 능력과 빠른 전하 이동도를 동시에 구현하는 나노선 다중채널 FET 소자를 저비용으로 대량생산할 수 있는 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 나노선 다중채널 FET 소자의 제조 방법에 있어서, 포토리소그라피와 습식식각 공정을 통해 기판 또는 기판 위 박막에 V 홈 나노선 배열을 형성하는 단계와; 용액 공정을 통해 상기 V 홈 나노선 배열의 V 홈 내에 나노물질을 자기조립하는 단계와; 상기 나노물질이 자기조립된 V 홈 나노선 배열을 이용하여 다중채널 FET 소자를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
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