기술소개

보유기술 검색

자가지지형 SnS 2차원 나노구조체 음극 활물질 및 이의 제조 방법

자가지지형 SnS 2차원 나노구조체 음극 활물질 및 이의 제조 방법 상세정보
대표분류 전기소자 구분 소액무상특허
기술테마 전기소자
연구기관 한국과학기술연구원 연구자 강진구
기술내용 이전대상 특허번호: 5531347(일본)
이전유형: 양도
이전비용 : 1천만원
비고: 부가세별도

이차전지에 적용 가능한 고결정성, 고균일성, 고순도의 자기 지지형 금속 황화물계 2차원 나노 구조체의 음극 활물질 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 자기 지지형 금속 황화물계 2차원 나노 구조체의 음극 활물질은 금속 황화물계 물질로 구성되는 응집체가 박리되고 금속 기판상에 금속 황화물계 2차원 나노 구조체로서 직접 성장하는 것을 특징으로 하고, 자기 지지형 금속 황화물계 2차원 나노 구조체의 음극 활물질 제조 방법은 금속 황화물계 물질로 구성되는 응집체를 제조하는 단계와, 응집체를 펄스 레이저 증착용 전기로 내의 튜브에 삽입 장착하는 단계와, 튜브 내에 금속기판을 삽입하고 응집체에서 떨어져 위치시키는 단계와, 튜브 내의 압력을 0.01~0.03 Torr의 진공 상태로 낮추어 전기로의 온도를590~610℃에 올리는 단계와, 튜브 내에 펄스 레이저를 주입해 응집체를 박리하는 단계와,를 포함하고 금속 황화물계 물질을 금속 기판상에 2차원 나노 구조체로서 직접 성장시키는 것을 특징으로 한다.
자료집 다운로드

상담 및 문의하기