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폴리메틸메타크릴레이트 유도체 박막을 게이트 절연층 및 유기 보호층으로 이용하는 트랜지스터 및 그 제조방법

폴리메틸메타크릴레이트 유도체 박막을 게이트 절연층 및 유기 보호층으로 이용하는 트랜지스터 및 그 제조방법 상세정보
대표분류 전기소자 구분 소액무상특허
기술테마 전기소자
연구기관 한국과학기술연구원 연구자 송용원
기술내용 이전대상 특허번호: 8384082(미국)
이전유형: 양도
이전비용 : 1천만원
비고: 부가세별도

Disclosed are a transistor including a gate insulation layer and an organic passivation layer of a polymer thin film, and a fabrication method thereof. The transistor comprises a substrate, a gate electrode formed on the substrate, a gate insulation layer including a polymethacrylic acid thin film, formed on the gate electrode and the substrate, a channel layer formed on the gate insulation layer, source electrode and drain electrode formed on the channel layer so as to expose at least a part of the channel layer, and an organic passivation layer including a polymethacrylic acid thin film, formed on the source electrode, drain electrode and the partially exposed channel layer. The method for fabricating a transistor comprises steps of forming a gate electrode on a substrate, forming a gate insulation layer of a polymethacrylic acid thin film on the gate electrode and the substrate, forming a channel layer on the gate insulation layer, forming source electrode and drain electrode on the channel layer so as to expose at least a part of the channel layer, and forming an organic passivation layer of a polymethacrylic acid thin film on the source electrode, drain electrode and the partially exposed channel layer.
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