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자기 터널 접합 소자의 열처리 방법과 그 방법으로 제조된 자기 터널 접합 소자
| 대표분류 | 전기소자 | 구분 | 소액무상특허 |
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| 기술테마 | 전기소자 | ||
| 연구기관 | 한국과학기술연구원 | 연구자 | 신경호 |
| 기술내용 | 이전대상 특허번호: 4498660(일본) 이전유형: 양도 이전비용 : 1천만원 비고: 부가세별도 급속 열처리를 실시함으로써 전자기적 특성 및 열적 안정성을 향상시킬 수 있는, 자기 터널 접합 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다. 제1 자성층 15와 제1 자성층 15의 상면에 형성된 터널 장벽층 16과 터널 장벽층 16의 상면에 형성된 제2 자성층 17를 포함하는 자기 터널 접합을 형성하고 이 자기 터널 접합을200~600℃의 온도 범위에서 5초~10분간 사이 급속 열처리를 실시함으로써, 터널 장벽층 16 내의 원소를 재분포시키고 터널 장벽층 16과 제1, 제2 자성층 15,17 간의 계면을 균일화시켜 자기 터널 접합을 제조한다. |
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