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나노자성체의 2차원 배열구조 제조방법
| 대표분류 | 기타 | 구분 | 소액무상특허 |
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| 기술테마 | 기타 | ||
| 연구기관 | 한국과학기술연구원 | 연구자 | 장준연 |
| 기술내용 | 이전대상 특허번호: 10-1226076(한국) 이전유형: 양도 이전비용 : 3백~5백만원 비고: 부가세 별도, 추납기간 비용등 감안하여 금액 변동 본 발명은 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 자성체막을 형성하는 단계와, 상기 자성체막 상에 전자빔 조사에 의해 결정화가능한 비정질 탄소박막을 증착하는 단계와, 상기 탄소박막에 전자빔을 원하는 나노배열패턴에 따라 조사하는 단계 - 여기서, 상기 탄소박막 중 전자빔이 조사된 영역은 결정화됨-;와, 상기 전자빔이 조사된 영역으로 정의되는 탄소박막패턴이 형성되도록 상기 탄소박막의 비정질영역을 제거하는 단계와, 상기 탄소박막패턴을 마스크로 이용하여 상기 자성체막을 건식 식각함으로써 나노자성체 어레이를 형성하는 단계와, 상기 탄소박막패턴을 상기 나노 자성체 어레이로부터 제거하는 단계를 포함하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법을 제공한다. |
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