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포토리소그래피 방법

포토리소그래피 방법 상세정보
대표분류 전기소자 구분 소재부품장비 기술분야
기술테마 반도체 기판∙소자 및 이들 제조 관련 기기
연구기관 한국표준과학연구원 연구자 유은아
기술내용 본 발명에 따른 포토리소그래피 방법은 a) 기판 상 D=m*(λ/2n) (D= 포토레지스트 막의 두께, n=포토레지스트의 굴절률, λ=노광시 조사되는 광의 파장, m= 1 이상의 자연수)을 만족하는 포토레지스트 막을 형성하는 단계; 및 b) 투명 기재 및 투명 기재의 광의 출사면에 접하여 형성된 평판형 금속 닷(plate-type metal dot)을 포함하는 광 마스크를 이용하여, 포토레지스트 막을 노광하고, 노광된 포토레지스트 막을 현상하여, 고리 형상의 포토레지스트 패턴을 제조하는 단계;를 포함한다.
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