본문 바로가기
전체메뉴닫기
기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
| 대표분류 | 전기소자 | 구분 | 소재부품장비 기술분야 |
|---|---|---|---|
| 기술테마 | 반도체 기판∙소자 및 이들 제조 관련 기기 | ||
| 연구기관 | 한국표준과학연구원 | 연구자 | 유신재 |
| 기술내용 | 본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 이 기판 처리 장치는 챔버, 챔버의 외부에 배치되고 활성화된 암모니아 및 활성화된 불화 수소를 챔버 내부에 제공하는 간접 플라즈마 소소, 및 챔버 내부에 배치된 기판에 이온 에너지를 제공하는 직접 플라즈마 소스를 포함한다. 직접 플라즈마 소스는 기판이 배치되는 평면으로부터 수직하게 이격된 제1 방향과 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 정의되는 제1 평면에서 제1 방향으로 나란히 연장되는 복수의 접지 전극들; 및 접지 전극들 사이에 배치되고 제1 방향으로 나란히 연장되고 RF 전원으로 전력을 공급받아 이웃한 접지 전극 사이에 플라즈마를 생성하는 전원 전극들을 포함한다. 활성화된 암모니아 및 활성화된 불화 수소는 전원 전극과 접지 전극 사이의 공간을 통하여 기판 상에 제공된다. | ||
| 자료집 | 다운로드 | ||