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반도체 소자 및 반도체 소자의 제조방법
| 대표분류 | 전기소자 | 구분 | 소재부품장비 기술분야 |
|---|---|---|---|
| 기술테마 | 반도체 기판∙소자 및 이들 제조 관련 기기 | ||
| 연구기관 | 한국표준과학연구원 | 연구자 | 김태완 |
| 기술내용 | 본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 셀레늄(Se) 또는 텔루륨(Te) 중 어느 하나를 포함하는 반도체성 구조상(phase)인 TMD 박막을 형성하는 단계; 상기 TMD 박막 상부에 마스크층을 형성하는 단계; 상기 TMD 박막의 상전이를 위한 부분을 노출시키기 위하여 상기 마스크층을 제거하는 단계; 10 mTorr ~ 100 mTorr 사이의 압력에서 플라즈마를 발생하는 단계; 상기 마스크층이 제거되어 노출된 상기 TMD 박막에 대하여 상기 플라즈마로부터 가속 이온을 충돌시키는 단계; 상기 TMD 박막의 금속성 부분에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. | ||
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