| 기술내용 |
본 발명은 기존의 뛰어난 가공 정밀도를 갖고 있는 펨토초 및 피코초등 초고속 레이저 초미세 공정 기술의 단점이었던 공정의 속도를 획기적으로 증가시키는 기술에 관한 것으로 본 발명에 의한 물질상태변이 유발을 통한 레이저 가공방법은 펄스의 폭이 피코초 이하인 초고속 레이저 빔 및 초고속 레이저 이외의 하나이상의 보조레이저의 빔을 이용하여 가공하되, 보조레이저 빔 단독으로는 공정대상 물질의 상태가 원래상태로 되돌아오는 가역적으로 변화시키며, 보조레이저 빔과 초고속 레이저의 빔이 시간상 및 공간상으로 동기화 되었을 경우에는 비가역적으로 물질의 상태를 변화시키는 것을 특징으로 한다. 아울러, 본 발명에 의한 물질상태변이 유발을 통한 레이저 가공장치는 펄스폭이 피코초 이하의 초고속 레이저 발진기와, 시간에 따른 레이저빔의 펄스를 변화시키는 동기화 전자장치를 구비한 보조 레이저 발진기와, 상기 초고속 레이저 발진기에서 발생된 초고속 레이저빔과 시간에 따른 동기화된 보조 레이저빔의 초점을 공간적으로 동기화시켜 집속하는 집속광학계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 본 발명은 나노초 레이저 등 기존의 상용화된 레이저와 초고속 레이저를 이용하여 공정 대상 물질의 내부 온도 등 물리적인 상태를 국소적, 과도기적으로 변화시키되, 상기 상태변화를 가역적으로 유발하고 시간-공간상으로 동기화를 함으로써 상대적으로 적은 량의 초고속 레이저 에너지를 이용하여 종래의 초고속 레이저 미세가공기술이 가지고 있는 가공속도의 한계를 극복하여 그 공정 속도를 획기적으로 증가시킬 수 있으며, 초고속 레이저 공정상 물질의 공정 표면에 발생하는 수십에서 수백 나노미터의 초미세 구조체들이 동기화 된 나노초 레이저 등에 의하여 획기적으로 감소할 수 있음으로써 표면의 거칠기를 획기적으로 감소할 수 있게 된다. |
본문 바로가기
전체메뉴닫기
