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레이저 다중 선로 공정에 의한 웨이퍼 미세 가공 방법 및 장치

레이저 다중 선로 공정에 의한 웨이퍼 미세 가공 방법 및 장치 상세정보
대표분류 전기소자 구분 소재부품장비 기술분야
기술테마 반도체 기판∙소자 및 이들 제조 관련 기기
연구기관 한국표준과학연구원 연구자 정세채
기술내용 본 발명의 목적은 웨이퍼 또는 박막이 적층된 웨이퍼로 형성되는 가공 대상물에, 다중 광을 조사하여 패턴을 형성하거나 절단을 수행함으로써 공정 정밀도 및 공정 품질을 극대화시키는, 레이저 다중 선로 공정에 의한 웨이퍼 미세 가공 방법 및 장치를 제공함에 있다. 보다 상세하게는, 본 발명은 둘 혹은 그 이상의 레이저 빔을 박형 웨이퍼 혹은 웨이퍼위에 적층된 박막의 상부에 직접 혹은 간접적으로 조사함으로써, 가공 대상물의 변형을 최소화함과 동시에 레이저 자체에서 발생하는 충격파를 수반하게 하여 가공 대상물을 절단 혹은 패터닝하는, 레이저 다중 선로 공정에 의한 웨이퍼 미세 가공 방법 및 장치를 제공함에 있다. 본 발명의 레이저 다중 선로 공정에 의한 웨이퍼 미세 가공 방법은, 웨이퍼(510) 또는 박막(520)이 적층된 웨이퍼(510)로 형성되는 가공 대상물(500)에 패턴을 형성하거나 절단을 수행하는 미세 가공 방법에 있어서, 레이저 및 상기 가공 대상물(500)의 특성에 따라 결정되는 소정 간격(D)으로 서로 이격된 다중의 레이저 광이 상기 가공 대상물(500)의 표면 상에 패턴 형상에 상응하도록 조사되어 다중 선로를 형성시키고, 상기 형성된 다중 선로의 내측부가 패턴 형성 과정에서 발생하는 충격파(shockwave) 에너지에 의해 자발적으로 제거되어 패턴이 형성되거나 또는 다중 선로 부위가 절단되어 절단이 수행되도록 하는 것을 특징으로 한다.
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