본문 바로가기
전체메뉴닫기
실리콘 화합물 박막의 형성방법
| 대표분류 | 도금 | 구분 | 소재부품장비 기술분야 |
|---|---|---|---|
| 기술테마 | 반도체 기판∙소자 및 이들 제조 관련 기기 | ||
| 연구기관 | 한국표준과학연구원 | 연구자 | 강상우 |
| 기술내용 | 본 발명은 실리콘 화합물을 이용한 원자층 증착공정을 수행하여 실리콘 화합물 박막을 형성하는 방법으로서, HSi(isopropyl)3 를 소스로 이용하여 실리콘 화합물 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의하면, 낮은 온도에서도 높은 증착률을 가지고, 불필요한 입자 발생이 없는 우수한 물리적 특성과 균일성을 가지는 실리콘 화합물 박막을 얻을 수 있다. | ||
| 자료집 | 다운로드 | ||