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대량생산이 가능한 이중 게이트 ISFETs 바이오센서

대량생산이 가능한 이중 게이트 ISFETs 바이오센서 상세정보
대표분류 전기소자 구분 기업혁신 성장분야
기술테마 헬스메디케어
연구기관 한국과학기술연구원 연구자 이관희
기술내용 하부 실리콘층은 하부 게이트로 작용하고, 게이트 패턴은 상부 게이트로 작용하여, 이중 게이트(dual gate)로써 작동할 수 있음
길이가 정확하게 정의되고, 플랫(plat)한 채널 영역을 구현함으로써, 전자의 이동에 수반되는 스캐터링을 최소화하여 노이즈가 저감된 전계 효과 트랜지스터 적용
게이트 퍼스트 공정을 적용함으로써 포토리소그래피 공정 감소 및 채널 길이 정의 가능
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